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半导体器件物理  051M2008H

学期:2016-2017学年秋 | 课程属性:一级学科普及课 | 任课教师:杨富华等
课程编号: 051M2008H 课时: 40 学分: 2.0
课程属性: 一级学科普及课 主讲教师:杨富华等
英文名称: Physics of Semiconductor Devices

教学目的、要求

本课程为材料科学与工程和光学工程专业研究生的专业普及课。要求学生通过本课程的学习能够掌握半导体材料的基本物理常识、掌握各种典型半导体接触和器件的工作原理、了解器件设计制造技术及其应用领域,为学生能够独立分析器件工作特性、设计新器件和开拓器件应用的新领域提供理论与技术基础,为学生进入研究所从事相关研究打下基础。

预修课程

固体物理、半导体物理、统计物理

教 材

主要内容

第一章 半导体物理基础:晶体结构,能带论,晶格振动,半导体统计,非平衡载流子输运,器件工作基本方程。 
第二章 基本的半导体接触:P-N结,Schottkey结,异质结,欧姆接触等。 
第三章 双极结型晶体管:基本工作原理,输出特性,高频、开关、功率应用,异质结双极晶体管(HBT)。
第四章 场效应晶体管: 理想MIS结构,MOS结构,MOSFET的基本工作原理、I-V特性、按比例缩小等。 
第五章 光电子器件:辐射跃迁与光的吸,LED和半导体激光器,光探测器,太阳能电池,集成光电子学。 
第六章 专用微波器件:隧道二极管,IMPATT器件,体效应器件等。
第七章 其它半导体器件概况:LDMOS、VDMOS、SOI、CMOS、TFT、CCD、MESFET,JEFET, MODFET、IGBT、量子效应器件等。

参考文献

1.	S.M. Sze and Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Third Edition, John Wiley & Sons, Inc.2007. 
2.	施敏. 伍国珏《半导体器件物理》,西安交通大学出版社, 2008. 
3.	王家骅等编著,《半导体器件物理》,科学出版社,北京,1983. 

授课时间: 星期三, 第5、6节
授课地点: 教1-404
授课周次: 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13

授课时间: 星期五, 第5、6节
授课地点: 教1-404
授课周次: 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13

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